افزایش ولتاژ شكست و كاهش اثر خودگرمایی در افزاره‏ی SOI-LDMOS
کلمات کلیدی:
افزاره‏ی SOI-LDMOS, افزاره‏ی SOI-LDMOS با اكسید دوگانه, خودگرمایی, فركانس قطع, ولتاژ شكست
چکیده:
چکیده - در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه‏سازی عددی افزاره‏ی SOI-LDMOS می‏پردازیم. سپس با استفاده از تکنیک اکسید مدفون دوگانه, نشان خواهیم داد که ولتاژ شكست این افزاره نسبت به افزاره‏ی مرسوم SOI-LDMOS با اکسید مدفون سرتاسری, حدود 64/21 درصد افزایش می‏یابد. همچنین با استفاده از این تکنیک, اثر خودگرمایی به میزان 36/28 درصد كاهش می‏یابد. مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی‏یابد.